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[主观题]

85%以上的单晶硅是采用FZ区熔法生长出来的。()

此题为判断题(对,错)。

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第1题

单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是()。

A、浇铸法

B、直熔法

C、区熔法

D、直拉法

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第2题

单晶硅锭的两种常见生产工艺有()。

A、浇铸法

B、直拉法

C、直熔法

D、区熔法

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第3题

当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。
A、还原法

B、氧化法

C、悬浮区熔法

D、直拉法

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第4题

高纯多晶硅是()的主要原料。

A、带状多晶硅

B、直拉单晶硅

C、区熔单晶硅

D、铸造多晶硅

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第5题

高纯多晶硅是()的主要原料。

A、带状多晶硅

B、铸造多晶硅

C、区熔单晶硅

D、直拉单晶硅

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第6题

区熔(FZ)硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。()

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第7题

利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高,且生产成本低,应用广泛。()

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第8题

直拉法和区熔法均可制备单晶硅,二者均被广泛使用,市场占有额差不多。()

此题为判断题(对,错)。

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第9题

悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺,第一次区熔时,第一次熔区停留挥发时间( )左右。

A. 3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

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第10题

悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅,纯度(),电学性能()。

A、高均匀

B、高不均匀

C、低均匀

D、低不均匀

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