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[主观题]

区熔(FZ)硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。()

区熔(FZ)硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。()

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第1题

()由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。A、锑化锢B、砷化镓C

()由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。

A、锑化锢

B、砷化镓

C、磷化锢

D、碳化硅

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第2题

染料敏化纳米晶太阳电池的优势主要有()。A、制备工艺简单,成本低B、对环境危害小C、光的利用效率高

染料敏化纳米晶太阳电池的优势主要有()。

A、制备工艺简单,成本低

B、对环境危害小

C、光的利用效率高

D、效率转换方面基本上不受温度影响

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第3题

高纯硅制造多晶硅,不是拉成单晶,而是熔化定向凝固成正方形的硅锭。()

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第4题

近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。A、绒面技术B、单双层减反射膜C、光

近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。

A、绒面技术

B、单双层减反射膜

C、光吸收技术

D、激光刻槽埋藏栅线技术

E、高效背反射器技术

F、背点接触电极克服表面栅线遮光问题

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第5题

单晶硅太阳电池的转化效率在硅晶太阳电池中最高。()

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第6题

制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有()。A、内部复合损失B、表面复合损失C

制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有()。

A、内部复合损失

B、表面复合损失

C、电池表面栅线遮光影响

D、光传导损失

E、电池表面光反射损失

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第7题

与其他太阳电池相比,制造单晶硅太阳电池()。A、结晶中缺陷较小B、制造技术比较成熟C、所用硅材料比

与其他太阳电池相比,制造单晶硅太阳电池()。

A、结晶中缺陷较小

B、制造技术比较成熟

C、所用硅材料比较丰富

D、转换效率较高

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第8题

非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。A、转换效率B、短路电流C、填

非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。

A、转换效率

B、短路电流

C、填充因子

D、开路电压

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第9题

太阳电池组件具有的主要特点有()。A、满足不同电压输出要求B、提高利用效率C、有足够的机械强度D、

太阳电池组件具有的主要特点有()。

A、满足不同电压输出要求

B、提高利用效率

C、有足够的机械强度

D、有明显的电性能增益

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第10题

常用的半导体材料的特性参数有()。A、位错密度B、电阻率C、非平衡载流子寿命D、禁带宽度E、载流子迁

常用的半导体材料的特性参数有()。

A、位错密度

B、电阻率

C、非平衡载流子寿命

D、禁带宽度

E、载流子迁移率

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