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[单选题]

非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。

A.转换效率

B.短路电流

C.填充因子

D.开路电压

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第1题

太阳电池组件具有的主要特点有()。A、满足不同电压输出要求B、提高利用效率C、有足够的机械强度D、

太阳电池组件具有的主要特点有()。

A、满足不同电压输出要求

B、提高利用效率

C、有足够的机械强度

D、有明显的电性能增益

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第2题

常用的半导体材料的特性参数有()。A、位错密度B、电阻率C、非平衡载流子寿命D、禁带宽度E、载流子迁

常用的半导体材料的特性参数有()。

A、位错密度

B、电阻率

C、非平衡载流子寿命

D、禁带宽度

E、载流子迁移率

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第3题

砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。A、吸收系数小B、禁带宽度大C、耐辐射性能好D、可以做得很薄

砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。

A、吸收系数小

B、禁带宽度大

C、耐辐射性能好

D、可以做得很薄

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第4题

砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。A、比较脆,易损坏B、不利于在空间应用C、耐辐射性能差D、单晶晶

砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。

A、比较脆,易损坏

B、不利于在空间应用

C、耐辐射性能差

D、单晶晶片价格比较昂贵

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第5题

薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。A、转换效率提高空间大B、成本优势C、利用范围更加广泛D

薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。

A、转换效率提高空间大

B、成本优势

C、利用范围更加广泛

D、对环境危害小

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第6题

可做太阳电池材料的材料有()。A、薄膜电池材料B、硅晶材料C、其他类型太阳电池材料D、GaAs半导体材

可做太阳电池材料的材料有()。

A、薄膜电池材料

B、硅晶材料

C、其他类型太阳电池材料

D、GaAs半导体材料

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第7题

有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。A、铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜B、非晶硅a-Si薄膜C、染料敏

有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。

A、铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜

B、非晶硅a-Si薄膜

C、染料敏化纳米晶(DSSC)

D、碲化镉CdTe薄膜

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第8题

近年来,一些新型高效电池不断问世,主要包括()。A、大面积光伏纳米电池B、硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)

近年来,一些新型高效电池不断问世,主要包括()。

A、大面积光伏纳米电池

B、硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)薄膜太阳电池

C、用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池

D、硅-硅串联结构太阳电池

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第9题

硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。A、相对成本较高B、尺寸相对较小C、光吸收系数远远低于其他

硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。

A、相对成本较高

B、尺寸相对较小

C、光吸收系数远远低于其他太阳光电材料

D、光电转换理论效率相对较低

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第10题

硅晶材料包括()。A、带状多晶硅B、高纯多晶硅C、铸造多晶硅D、直拉单晶硅

硅晶材料包括()。

A、带状多晶硅

B、高纯多晶硅

C、铸造多晶硅

D、直拉单晶硅

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