可做太阳电池材料的材料有()。
A.薄膜电池材料
B.硅晶材料
C.其他类型太阳电池材料
D.GaAs半导体材料
A.薄膜电池材料
B.硅晶材料
C.其他类型太阳电池材料
D.GaAs半导体材料
第1题
有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。
A、铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜
B、非晶硅a-Si薄膜
C、染料敏化纳米晶(DSSC)
D、碲化镉CdTe薄膜
第2题
近年来,一些新型高效电池不断问世,主要包括()。
A、大面积光伏纳米电池
B、硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)薄膜太阳电池
C、用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池
D、硅-硅串联结构太阳电池
第3题
硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。
A、相对成本较高
B、尺寸相对较小
C、光吸收系数远远低于其他太阳光电材料
D、光电转换理论效率相对较低
第5题
对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的()和适中的()。
A、电阻率
B、载流子迁移率
C、非平衡载流子寿命
D、位错密度
E、禁带宽度
第6题
用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与()。
A、InP
B、GaAs
C、非晶硅薄膜
D、CdTe薄膜
第7题
薄膜太阳电池中()已商业化。
A、碲化镉(CdTe)电池
B、非晶硅(a-Si)电池
C、铜铟镓硒(CIGS)电池
D、多晶硅(微晶硅μc-Si)薄膜电池
第8题
薄膜电池材料包括()。
A、多晶硅(微晶硅)薄膜
B、CuInSe2(CuInS2)薄膜
C、CdS薄膜
D、非晶硅薄膜
E、CdTe
第9题
20世纪80年代初,主要把()引入到电池的制造工艺中。
A、降低接触复合效应
B、后处理提高载流子寿命
C、改进陷光效应
D、表面钝化技术
第10题
20世纪70年代初,()开始引人到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。
A、背表面场
B、浅结表面扩散
C、表面织构化
D、细栅金属化
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