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简述公共管理学的研究方法。

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第1题

IGBT加反压截至，加正压也截至，加正压时在栅极加正电压，IGBT导通。（)

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第2题

IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（）

A．栅极与漏极

B．栅极与源极

C．源极与漏极

D．均不对

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第3题

根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（）

A．导通

B．截止

C．放大

D．击穿

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第4题

随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化，绝缘栅双极晶体管（IGBT）将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高，控制电流（栅极电流）IG≈0，故驱动功率小。因此在（）中，IGBT处于绝对优势。

A．大型变频器

B．中小容量变频器

C．直流调压调速系统

D．高精密变频调速系统

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第5题

当 UGE为正且大于（），IGBT导通。

A．开启电压

B．擎住电流

C．维持电流

D．导通电流

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第6题

开启电压UGE（th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。

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第7题

IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（)

IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。( )

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第8题

对IGBT下列说法正确的是（）

A．IGBT是MOSFET和GTR复合的产物

B．IGBT是MOSFET和GTO复合的产物

C．IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。

D．IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性

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