随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化，绝缘栅双极晶体管（IGBT）将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高，控制电流（栅极电流）IG≈0，故驱动功率小。因此在（）中，IGBT处于绝对优势。