绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。

此题为判断题(对，错)。

B．发射极电流

C．栅极电压

D．发射极电压

B.栅极端和集电极端

C.集电极端和发射极端

D.以上均不对

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A.在栅极加正电压

B.在集电极加正电

C.在栅极加负电压

D.在集电极加负电压

此题为判断题(对，错)。

B、在集电极加正电压

C、在栅极加负电压

D、在集电极加负电压

A、电力场效应晶体管

B、绝缘栅双极晶体管

C、电力晶体管

D、门极可关断晶闸管

A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长

A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。

B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET快。

C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR快。

D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。