题目内容
（请给出正确答案）
[判断题]
IGBT即绝缘栅双极晶体管，是全控型器件（通过控制信号可以控制其导通，又能控制其关断）（）
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B.栅极端和集电极端
C.集电极端和发射极端
D.以上均不对
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第3题
关于绝缘栅双极晶体管，以下说法正确的是
A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长
第6题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_ __，属于半控型器件的是__ _，属于全控型器件的是 _ _；属于单极型电力电子器件的有_ _，属于双极型器件的有_ _，属于复合型电力电子器件得有 __ _；在可控的器件中，容量最大的是_
第7题
随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化，绝缘栅双极晶体管（IGBT）将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高，控制电流（栅极电流）IG≈0，故驱动功率小。因此在（ ）中，IGBT处于绝对优势。
A、大型变频器
B、中小容量变频器
C、直流调压调速系统
D、高精密变频调速系统
第8题
变流系统中的电力电子器件都经历过从( )的发生过程。
A、半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
B、全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
C、半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)
D、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)
第9题
逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源，主要有可控硅(SCR)逆变弧焊电源、场效应管(MOS)逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)逆变弧焊电源。()
此题为判断题(对，错)。
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