对IGBT下列说法正确的是（）

A、是电压型元件

B、是电流型元件

C、是全控可控硅元件

D、开关速度较慢

A、IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件

B、IGBT目前没有抗短路能力

C、IGBT是电压型驱动器件

D、IGBT的设计中需要提供过电压保护

A、IGBT开关速度高于电力MOSFET

B、IGBT是电压驱动型器件

C、电力MOSFET存在二次击穿问题

D、IGBT具有擎住效应

A、四层三端元件

B、三层三端元件

C、五层三端元件

D、三层四端元件

B.通态压降较低

C.电压驱动型器件

D.驱动功率大

A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长

A、这是一层低掺杂N区

B、低掺杂N区越厚，电力电子器件能承受的反向电压就越高

C、由于N-区的存在，电力MOSFET会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

D、由于N-区的存在，GTR会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

E、由于N-区的存在，电力二极管会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

F、低掺杂N区一般采用 P-N-i 结构

G、由于N-区的存在，IGBT会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

B．IGBT故障时可以快速放电

C．包括一个半导体闸流管

A. 电流互感器测量有问题

B. 变流器测量出问题

C. 变流器上面7号、8号IGBT拨码出问题

D. 变流器上面2号IGBT拨码有问题

A、一组器件的驱动信号要尽量保持一致

B、MOSFET不适合并联使用

C、BJT的导通电阻具有正温度系数

D、IGBT在电流较大时具有负温度系数