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[单选题]

当 UGE为正且大于() ,IGBT导通。

A.开启电压

B.擎住电流

C.维持电流

D.导通电流

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第1题

开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
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第2题

IGBT的饱和导通压降比P-MOSFET低。
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第3题

绝缘栅双极晶体管(IGBT)的导通由()之间的电压控制。
A.栅极端和发射极端

B.栅极端和集电极端

C.集电极端和发射极端

D.以上均不对

29

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第4题

IGBT的特点说法不正确的是( )

A、IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件

B、IGBT目前没有抗短路能力

C、IGBT是电压型驱动器件

D、IGBT的设计中需要提供过电压保护

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第5题

当流过IGBT的电流较大时,其通态电阻具有()温度系数。

A、正

B、负

C、零

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第6题

IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题

IGBT的栅极是控制极,通过它控制导通关断。____
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第8题

以下为IGBT工作于正向阻断区的特点的是

A、UGE<uge(th)> B、UGE>UGE(th), UCE≈0

C、压控恒流特性,IC仅与UGE相关

D、电流失控

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第9题

简述对IGBT栅控电路的基本要求

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第10题

不属于IGBT管特点的是()。
A、IGBT管为混合器件

B、驱动功率容量小

C、电流等级为10A—400A

D、IGBT管是一种电流型器件

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