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[主观题]
设棒状光电导体长为l，截面积为S，在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s，若在棒两端施加电压V，试证光
设棒状光电导体长为l，截面积为S，在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s，若在棒两端施加电压V，试证光生电流与总电流之比为
式中b=μn/μp·n0为平衡导带电子浓度。设光生载流子寿命τn=τp=10-4s·Q=1014cm-3，估计300K下硅单晶的△I/I比值。
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第2题
计算衬底掺杂在1015cm-3和1018cm-3之间的硅n+p结光电池的开路电压。假设Ls=100μm，Dn=36cm2/s，光电流密度IL/A=35mA/cm2，这些参数与掺杂浓度无关。
第4题
设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
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