上题中无光照时电导g0=10-8S；如要样品的电导增加一倍，即△g=g0，所需光照强度为多少？

计算衬底掺杂在10¹⁵cm^-3和10¹⁸cm^-3之间的硅n⁺p结光电池的开路电压。假设L_s=100μm，D_n=36cm²/s，光电流密度I_L/A=35mA/cm²，这些参数与掺杂浓度无关。

设激光共振腔长度为l，端面反射系数为R，激光材料对辐射的吸收系数为α，试证激光器的阈值增益为

  G_t=α+(1/l)ln(1/R)

设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10^-6W/cm²的光照射时，其吸收系数α=10²/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10^-4s，b=μ_n/μ_p=10，μ_n=10000cm²/(V·s)，求对应的量子产额。

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。