设激光共振腔长度为l，端面反射系数为R，激光材料对辐射的吸收系数为α，试证激光器的阈值增益为 Gt=α+（1/l)ln

设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10^-6W/cm²的光照射时，其吸收系数α=10²/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10^-4s，b=μ_n/μ_p=10，μ_n=10000cm²/(V·s)，求对应的量子产额。

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

设一入射光子通量为F_ph的单色光照射在“p+在n上”的p⁺n光电池的表面，表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数为α，背面接触处的表面复合速度为S，设在p⁺层内的吸收忽略不计。推导n侧内光产生少数载流了密度和电流的表示式(如图所示)。

如图所示，设V_mp和I_mp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流，I_L为电池的光生电流，I_S为pn结的反向饱和电流，A为电池的曝光面积，P_in/cm²为单位面积上的光功率，。试证太阳能电池的转换效率η为