如图所示,设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流,IL为电池的光生电流,IS为pn结的反向
如图所示,设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流,IL为电池的光生电流,IS为pn结的反向饱和电流,A为电池的曝光面积,Pin/cm2为单位面积上的光功率,。试证太阳能电池的转换效率η为
如图所示,设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流,IL为电池的光生电流,IS为pn结的反向饱和电流,A为电池的曝光面积,Pin/cm2为单位面积上的光功率,。试证太阳能电池的转换效率η为
第1题
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品,其厚度d>>Lp,在样品上表面用波长λ=0.75μm,其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射,除反射之外,其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收,产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1,表面对这种光的反射系数R=40%,光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s,电子迁移率μn=2800cm2/(V·s),空穴迁移率μp=700cm2/(V·s),普朗克常数h=6.6×10-34J·s,光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求:室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
第2题
有n型CdS正方晶片,边长为1mm,厚为0.1mm,其波长吸收限为。今用光强度为1mW/cm2的紫色光(λ=4096)照射正方形表面,量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷,光生电子寿命为τn=10-5s,电子迁移率为μn=100cm2/(V·s);并设光照能量全部被晶片吸收,求下列各值。
第3题
如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上,已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm,p区电阻率为0.1Ω·cm,反向饱和电流为1μA,电子迁移率为3600cm2/(V·s),空穴迁移率为1800cm2/(V·s),n区的电子深度为3×1013cm-3,试回答下列问题:
第4题
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg>hν>qφe(φB为接触电势差),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α,金属膜的厚度为l,则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证:
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!