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设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
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第1题
本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。
第2题
设一入射光子通量为Fph的单色光照射在“p+在n上”的p+n光电池的表面，表面反射和表面复合不予考虑。设吸收系数为α，背面接触处的表面复合速度为S，设在p+层内的吸收忽略不计。推导n侧内光产生少数载流了密度和电流的表示式(如图所示)。
第3题
如图所示，设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流，IL为电池的光生电流，IS为pn结的反向饱和电流，A为电池的曝光面积，Pin/cm2为单位面积上的光功率，。试证太阳能电池的转换效率η为
第4题
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
第5题
有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为
。今用光强度为1mW/cm2的紫色光(λ=409.6
)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τn=10-5s，电子迁移率为μn=100cm2/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。
第6题
反向饱和电流为1μA，电子迁移率为3600cm2/(V·s)，空穴迁移率为1800cm2/(V·s)，n区的电子深度为3×1013cm-3，试回答下列问题：
第7题
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg＞hν＞qφe(φB为接触电势差)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α，金属膜的厚度为l，则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证：
第8题
晶格常数分别为a1、a2的两种材料，皆为金刚石结构，当分别在(100)、(110)及(111)面构成异质结时，求悬挂键密度。
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