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[主观题]
求pn异质结在饱和电离情况下内建电场及内建电势的空间分布。
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第4题
在晶面为(001)的GaAs衬底上，重复地交替生长一个原子层的GaP和一个原子层的GaAs。忽略这两种材料晶格常数差异，并假定两种材料的界面处没有缺陷，就可以得到具有统一晶格常数a的理想超晶格结构，(GaAs)1-(GaP)1，如图所示。
提示：GaAs和GaP都是闪锌矿结构。根据这两种结构的两个相邻(001)面原子排列情况，可以画出(GaAs)1-(GAP)1超晶格结构的原子排列在一个(001)面上的投影，如图所示。
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