题目内容
（请给出正确答案）
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n－Ge的样品，其厚度…”相关的问题
第1题
有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为
。今用光强度为1mW/cm2的紫色光(λ=4096
)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τn=10-5s，电子迁移率为μn=100cm2/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。
第2题
如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上，已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm，p区电阻率为0.1Ω·cm，反向饱和电流为1μA，电子迁移率为3600cm2/(V·s)，空穴迁移率为1800cm2/(V·s)，n区的电子深度为3×1013cm-3，试回答下列问题：
第3题
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg＞hν＞qφe(φB为接触电势差)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α，金属膜的厚度为l，则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证：
为了保护您的账号安全，请在“上学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
微信搜一搜
上学吧
微信搜一搜
上学吧
