题目内容
（请给出正确答案）
B．B切换不合理，如配置原因导致切换到质量差小区，引起MOS分值低。
C．C由于参数配置不合理，导致切换较慢，一旦服务小区出现连续质量差，不能够及时把语音呼叫切换到更好邻区，导致语音质量持续差，引起MOS分值低以及切换失败和掉话。
D．D部分网络关闭质量差切换导致MOS分值低
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“切换引起的MOS分问题，不仅仅是切换次数过多，还有其他的一些…”相关的问题
第2题
A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
第3题
A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
第4题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第6题
如上图所示MOS管，下面描述不正确的是：
A、可用跨导来描述上面场效应管的放大特性。
B、上面场效应管的开启电压UGS(th)>0。
C、上面场效应管的主要由金属、氧化物和半导体等组成0。
D、上面场效应管的输入回路电流很小，最多也就1mA左右。
第9题
A、MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B、当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C、MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
D、MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
第10题
A、MOS器件具有高输入阻抗
B、MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源
C、NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD
D、工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）
为了保护您的账号安全，请在“上学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
微信搜一搜
上学吧
微信搜一搜
上学吧
