题目内容
（请给出正确答案）
A.MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B.MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C.MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D.NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
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第1题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第2题
A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
第4题
A、PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
B、NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
C、PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
D、NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
E、NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止
F、NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通
第5题
A、MOS器件具有高输入阻抗
B、MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源
C、NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD
D、工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）
第6题
A、NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B、当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C、当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D、管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
第7题
A、它是一个N沟道MOS管，|VGS|>VT时，VG>VS，MOS管导通；
B、它是一个P沟道MOS管，|VGS|>VT时，MOS管导通
C、它是一个N沟道MOS管，VGS>VT时，MOS管导通；
D、它是一个P沟道MOS管，VGS>VT时，MOS管导通；
第8题
A、C^2 MOS是一种单相时钟技术，提供了一种允许时钟偏差的解决办法
B、C^2 MOS锁存器在时钟斜率不够陡直时不能正确工作
C、TSPCR可以将逻辑功能嵌入到锁存器中
D、TSPCR的功能受晶体管尺寸的影响大
第9题
A、耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。
B、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
C、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
D、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
第10题
工作在恒流状态下的MOS场效应管，关于其跨导
，下列说法正确的是 。
A、
与
成正比
B、与
成正比
C、与
成正比
D、与
成正比
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