题目内容
（请给出正确答案）
A.它是一个N沟道MOS管，|VGS|＞VT时，VG＞VS，MOS管导通；
B.它是一个P沟道MOS管，|VGS|＞VT时，MOS管导通
C.它是一个N沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；
D.它是一个P沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；
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第1题
A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C、当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止
D、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断
第2题
A、PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
B、NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
C、PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
D、NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
E、NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止
F、NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通
第3题
A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
第4题
A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
第5题
A、当VGS > VTH，并且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在线性区
B、当VGS < VTH时，NMOS器件工作在截止区
C、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件工作在饱和区
D、当当VGS < VTH时，且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在深线性区
第7题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第8题
A、栅极的接触孔应该开在沟道区外
B、版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
C、源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
D、版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
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图示特性是N沟耗尽型MOS管
