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[主观题]

[图]图示特性是N沟耗尽型MOS管...

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第1题

某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是。

A、为N沟道增强型MOS管，

B、为N沟道耗尽型MOS管，

C、为N沟道耗尽型MOS管，

D、B和C

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第2题

某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是。

A、为N沟道耗尽型MOS管，，

B、为N沟道耗尽型MOS管，，

C、为P沟道耗尽型MOS管，，

D、为P沟道耗尽型MOS管，，

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第3题

某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是。

A、为N沟道增强型MOS管，

B、为N沟道增强型MOS管，

C、为N沟道耗尽型MOS管，

D、为N沟道耗尽型MOS管，

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第4题

某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是。

A、为P沟道增强型MOS管，

B、为N沟道耗尽型MOS管，

C、为N沟道增强型MOS管，

D、为P沟道结型场效应管，

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第5题

图１中所示的是MOS管类型是 [图]A、N沟增强型B、N沟耗尽...

图１中所示的是MOS管类型是

A、N沟增强型

B、N沟耗尽型

C、P沟增强型

D、P沟耗尽型

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第6题

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。

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第7题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。 ()

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第8题

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较，在电路性能上有哪些相同的特点。

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第9题

P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UGS的极性为（）。

A、正

B、负

C、可正可负

D、不确定

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第10题

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

此题为判断题(对，错)。

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