某场效应管的输出特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A、为N沟道耗尽型MOS管，，

B、为N沟道耗尽型MOS管，，

C、为P沟道耗尽型MOS管，，

D、为P沟道耗尽型MOS管，，

A、为P沟道增强型MOS管，

B、为N沟道耗尽型MOS管，

C、为N沟道增强型MOS管，

D、为P沟道结型场效应管，

A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V

D、为P沟道结型场效应管，Up=1V

A、为N沟道增强型MOS管，

B、为N沟道耗尽型MOS管，

C、为N沟道耗尽型MOS管，

D、B和C

某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：

A、P沟道增强型MOS管

B、P沟道结型场效应管

C、N沟道增强型MOS管

D、N沟道耗尽型MOS管

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U_DS=10V，U_GS=0V处的跨导gm约为（）。

A. 1mA/V

B. 0.5mA/V

C. -1mA/V

D. -0.5mA/V

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出u_DS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。

A、

B、

C、

D、

图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：

A、P沟道耗尽型MOS管

B、N沟道耗尽型MOS管

C、P沟道增强型MOS管

D、N沟道增强型MOS管

A、

B、

C、

D、