题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：
A.当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D.p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
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第1题
下面有关MOS管的说法正确的是（）
A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
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第2题
如图斜导柱滑块机构中，下列说法错误的是 [图]A、在开模...
如图斜导柱滑块机构中，下列说法错误的是
A、在开模的一瞬间，斜导柱和滑块立即进行侧抽芯动作。
B、开模一瞬间，动模型芯与塑件松脱。
C、斜导柱安装在动模。
D、滑块安装在定模。
第6题
3.稳态视觉诱发电位不具备以下哪个特征：
A、A.频谱中包含与刺激频率相同的频率成分
B、B.频谱中包含与刺激频率谐波（倍频）相同的频率成分
C、C.低频刺激（<15hz）的诱发幅度大于高频刺激（>30Hz）的诱发幅度
D、D.中频（15~30Hz）刺激不能产生诱发电位
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