题目内容
（请给出正确答案）
A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C.MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
D.MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
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第1题
A、MOS器件具有高输入阻抗
B、MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源
C、NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD
D、工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）
第2题
A、PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
B、NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
C、PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
D、NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
E、NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止
F、NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通
第3题
A、栅极的接触孔应该开在沟道区外
B、版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
C、源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
D、版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
第4题
A、所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用
B、将MOS管作二极管连接并导通时，不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区
C、二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关，与偏置电流无关，即输入与输出呈线性
D、二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比，增益AV越大，最大输出电压Voutmax越小
第5题
A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
第6题
A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C、当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止
D、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断
第9题
A、不考虑Si-SiO2界面的结构
B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差
C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子
D、都正确
第10题
A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
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