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[单选题]

题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是:

A.超净

B.高精度

C.低精度

D.超纯

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第1题

题3-2-8 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

A、MOS器件源漏精确掺杂

B、形成浅结

C、调节MOS器件阈值电压

D、形成互连

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第2题

题3-3-4 集成电路制造工艺中,以下不是热氧化方法的是: 。

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

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第3题

题3-3-1 集成电路制造工艺中,不能制备二氧化硅薄膜的方法是: 。

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

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第4题

题3-3-5 集成电路制造工艺中,以下对氧化速率没有影响的因素是: 。

A、温度

B、厚度

C、硅晶向

D、掺杂

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第5题

题3-3-3 集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于: 。

A、元器件的组成部分(如栅氧化层)

B、源漏极

C、互连层间绝缘介质

D、作为掩蔽膜

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第6题

题5-3-1:以下不是组合逻辑电路的特点的是 。

A、输出总是由布尔函数决定

B、输出状态可以记忆

C、稳态输出,但只与输入的当前值有关

D、输出不反馈到输入

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第7题

题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是: 。

A、A、特征尺寸

B、器件数量

C、互连线长度

D、互连线层数

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第8题

题5-7-2:如下集成电路制造工艺方法中,不能减小互连寄生电阻的是 。

A、银;

B、铜;

C、金;

D、铝;

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第9题

题3-3-2 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是: 。

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

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第10题

【单选题】集成电路制造中图形转移是通过什么工艺实现的

A、扩散

B、刻蚀

C、光刻

D、蒸发

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