题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：

A、MOS器件源漏精确掺杂

B、形成浅结

C、调节MOS器件阈值电压

D、形成互连

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

A、温度

B、厚度

C、硅晶向

D、掺杂

A、元器件的组成部分（如栅氧化层）

B、源漏极

C、互连层间绝缘介质

D、作为掩蔽膜

A、输出总是由布尔函数决定

B、输出状态可以记忆

C、稳态输出，但只与输入的当前值有关

D、输出不反馈到输入

A、A、特征尺寸

B、器件数量

C、互连线长度

D、互连线层数

A、银；

B、铜；

C、金；

D、铝；

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

A、扩散

B、刻蚀

C、光刻

D、蒸发