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第1题
题3-2-8 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。
A、MOS器件源漏精确掺杂
B、形成浅结
C、调节MOS器件阈值电压
D、形成互连
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第2题
题3-3-4 集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。
A、干氧氧化
B、湿氧氧化
C、离子氧化
D、水蒸汽氧化
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第3题
题3-3-1 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。
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第4题
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。
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第5题
题3-3-3 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。
A、元器件的组成部分（如栅氧化层）
B、源漏极
C、互连层间绝缘介质
D、作为掩蔽膜
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第6题
题5-3-1：以下不是组合逻辑电路的特点的是 。
A、输出总是由布尔函数决定
B、输出状态可以记忆
C、稳态输出，但只与输入的当前值有关
D、输出不反馈到输入
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第7题
题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是： 。
A、A、特征尺寸
B、器件数量
C、互连线长度
D、互连线层数
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第8题
题5-7-2：如下集成电路制造工艺方法中，不能减小互连寄生电阻的是 。
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第9题
题3-3-2 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是： 。
A、几何设计规则是版图图形编辑的依据
B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据
C、几何设计规则是分析计算的依据
D、几何设计规则是检查版图错误的依据
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第10题
【单选题】集成电路制造中图形转移是通过什么工艺实现的
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