题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

A、超净

B、高精度

C、低精度

D、超纯

A、银；

B、铜；

C、金；

D、铝；

A、A、特征尺寸

B、器件数量

C、互连线长度

D、互连线层数

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

A、栅长(gate_length)

B、氧化层厚度

C、栅宽(gate_width)

D、D 栅指数(gates)

A、各层的最小宽度

B、层与层之间的最小间距

C、掺杂浓度

D、层与层之间的最小交叠

A、Foundry（集成电路制造公司）

B、集成电路设计公司

C、集成电路测试公司

D、集成电路封装公司