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[单选题]
题3-3-3 集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于: 。
A.元器件的组成部分(如栅氧化层)
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜
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A.元器件的组成部分(如栅氧化层)
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜
第5题
A. 集成电路是现代信息产业的基础之
B. 集成电路只能在硅(Si)衬底上制作而成
C. 集成电路的特点是体积小、重量轻、可靠性高
D. 集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管的尺寸密切相关
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