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[单选题]

根据氧化剂的不同,热氧化可分为()。

A.干氧氧化

B.水汽氧化

C.湿氧氧化

D.掺氯氧化

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第1题

根据氧化剂的不同,热氧化可分为()、()和()。
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第2题

根据氧化剂的不同,热氧化可分为()、()和()

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第3题

二氧化硅热氧化有多种方式,下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是()。

A.湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率

B.水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率

C.干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率

D.水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率

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第4题

二氧化硅热氧化有多种方式,下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是()。

A.湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率

B.水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率

C.干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率

D.水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率

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第5题

几种热氧化方法中,哪种生长的薄膜结构最致密,纯度最高

A.干氧氧化

B.水汽氧化

C.湿氧氧化

D.掺氯氧化

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第6题

题3-3-4 集成电路制造工艺中,以下不是热氧化方法的是: 。

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.离子氧化

D.水蒸汽氧化

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第7题

热氧化的速率与晶圆的晶向有关,但与氧化剂压力无关。
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第8题

热氧化的速率与晶圆的晶向有关,但与氧化剂压力无关。
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第9题

关于硅的热氧化,下面哪种说法正确:

A.湿氧比干氧慢得多;

B.水汽氧化层比干氧氧化层致密;

C.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的;

D.升高氧气(或水汽)分压不影响生长速率。

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第10题

氧化还原滴定法根据所选作标准溶液的氧化剂的不同,可分为高锰酸钾法、重铬酸钾法和碘量法三类()

A.错误

B.正确

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