题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：
A.湿氧比干氧慢得多；
B.水汽氧化层比干氧氧化层致密；
C.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；
D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率。
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A.工作效率比干打磨高
B.适用于脆弱的表面
C.工作效率比干打磨低
D.工作效率和干打磨差不多
更多“关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：”相关的问题
第2题
装配整体式混凝土结构建筑可采用湿式连接和干式连接，下面关于两种连接的说法，不正确的是（）
A.湿式连接整体性能比干式连接更好
B.湿式连接施工工期比干式连接较长
C.湿式连接比干式连接现场工作量大
D.干式连接整体性能比湿式连接更好
第6题
关于硅氧四面体，以下说法正确的是。
A.硅氧四面体中，每一个硅离子与四个氧离子相连
B.硅氧四面体的每一个顶点至多只能公用于两个这样的四面体之间
C.两个硅氧四面体可以通过硅离子相连
D.多个硅氧四面体可以形成链状、环状、层状和架状等结构
热门考试
全部 >
