A.干氧氧化
B.水汽氧化
C.湿氧氧化
D.掺氯氧化
第1题
A. 干氧氧化
B. 湿氧氧化
C. 水汽氧化
D. 与氧化方法无关
第2题
A、湿氧比干氧慢得多;
B、水汽氧化层比干氧氧化层致密;
C、氧化反应是在Si/SiO2界面发生的;
D、升高氧气(或水汽)分压不影响生长速率。
第3题
简述几种常用的氧化方法及其特点。
第4题
A. 酶活性
B. 氧化还原比色法测葡萄糖
C. 苦味酸法测肌酐
D. 球蛋白
E. 白蛋白
第5题
A. 过氧化氢法
B. 半粒染色法
C. 伊红美蓝染色法
D. 普通发芽法
第6题
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
第7题
A. 结晶形态
B. 非结晶形态
C. 可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的
D. 以上都不对
第8题
A、增加氧化剂压力
B、提高温度
C、进行掺杂
D、选用合适的氧化方法,例如湿氧氧化
第9题
A. 明显
B. 不明显
C. 相同
第10题
B.NAD+
C.FAD
D.NADP+
E.CoA
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