杂质半导体的少数载流子浓度取决于（）

A.掺杂浓度

B.$;$温度

C.$;$电场

D.$;$频率

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.无

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

A.杂质浓度

B.掺杂工艺

C.温度

D.晶体缺陷

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.掺杂工艺

A.反向电压的大小

B.掺入杂质的浓度

C.制作时间

D.环境温度

A.掺杂工艺

B.杂质浓度

C.温度

D.晶体缺陷

A.温度

B.杂质浓度

C.掺杂工艺

D.晶体缺陷

A.掺杂种类

B.掺杂浓度

C.温度

D.电压

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷