A.掺杂工艺
B.杂质浓度
C.温度
D.晶体缺陷
第1题
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
第2题
A、a
B、b
C、c
D、d
第3题
第4题
此题为判断题(对,错)。
第5题
第6题
第7题
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
第8题
A、掺入的杂质数量
B、环境温度
C、掺杂工艺
D、晶体结构
第9题
A.晶体缺陷
B.温度
D.掺杂工艺
第10题
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