在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

A.杂质浓度

B.掺杂工艺

C.温度

D.晶体缺陷

A.多数载流子

B.少数载流子

C.空穴

D.自由电子

A.温度

B.杂质浓度

C.杂质类型

D.晶格缺陷

A.引入杂质

B.改变接触

C.增加表面复合

D.减少表面复合

A.有

B.没有

C.少数

D.多数