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[单选题]

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于____

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.无

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第1题

在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于().

A.杂质浓度

B.掺杂工艺

C.温度

D.晶体缺陷

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第2题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于 。

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.掺杂工艺

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第3题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()有很大关系。

A.杂质浓度;环境温度;

B.环境温度;杂质浓度;

C.杂质浓度;外加电场;

D.杂质价态;杂质浓度;

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第4题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度
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第5题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。

A.I型半导体

B.杂质浓度

C.杂质类型

D.温度

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第6题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.掺杂工艺

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.温度

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第7题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于 。

A.杂质浓度

B.温度

C.本征半导体

D.掺杂工艺

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第8题

杂质半导体中随温度升高浓度显著增大的是______

A.多数载流子

B.少数载流子

C.空穴

D.自由电子

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第9题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。

A.光照

B.温度

C.掺杂类型与浓度

D.热辐射

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第10题

杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度
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第11题

杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质,少数载流子为本征激发产生的电子与空穴
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