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在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产的氮化硅膜会产生哪两种效果?

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第1题

在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学()生产氮化硅膜是历来常用的方法。
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学()生产氮化硅膜是历来常用的方法。

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第2题

化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有()。

A.等离子增强化学气相沉积

B.热丝化学气相沉积制备多晶硅

C.低压化学气相沉积制备多晶硅

D.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜

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第3题

目前正在广泛研究的有化学气相沉积法、()、固相结晶、等。
目前正在广泛研究的有化学气相沉积法、()、固相结晶、等。

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第4题

简述单晶硅电池片与多晶硅电池片的生产流程

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第5题

在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为()角,单晶硅电池片的厚度为()角。
在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为()角,单晶硅电池片的厚度为()角。

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第6题

简述化学气相沉积的特点?

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第7题

在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

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第8题

表面气相沉积包括化学气相沉积和物理气相沉积。()
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第9题

生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法,其中产出率最高的方法为()
生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法,其中产出率最高的方法为()

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第10题

目前常用刀具涂层方法有()。

A.化学气相沉积法

B.物理气相沉积法

C.盐浴浸镀法

D.等离子喷涂

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