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[主观题]
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学()生产氮化硅膜是历来常用的方法。
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（)生产氮化硅膜是历来常用的方法。
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第4题
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在()。
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（)。
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A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离
第5题
在强碱溶液里添加()(如硝酸钠)最后形成一层连续的氧化膜是钢铁的化学氧化膜生成最常用的方法。
在强碱溶液里添加（)（如硝酸钠)最后形成一层连续的氧化膜是钢铁的化学氧化膜生成最常用的方法。
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第6题
生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为()
生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（)
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第8题
a-Si太阳能电池是大面积制膜，但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到()，因此有必要分割为复数电池片，再进行电气结合。
a-Si太阳能电池是大面积制膜，但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到（)，因此有必要分割为复数电池片，再进行电气结合。
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第10题
多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用()的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（)的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
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