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[主观题]

由于肖特基二极管没有少子的电荷存储效应,因而常用在_________电子电路中。发光二极管常用GaAs材

料制作,它的正向导通电压比普通二极管的_________。变容二极管运用时应加_________电压,其原理是PN结的_________ 特性。

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第1题

N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体,源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外

加的VGS产生的_________-形成的,增强型管子的含义是_________。

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第2题

使晶体管工作在放大区的外部偏压条件为发射结__________,集电结__________。则对于NPN管和PNP管而

言,比较其3个电极的电位φE、φB和φC的高低应分别满足__________和_________的关系。

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第3题

PN结扩散电流的大小正比于外加电压的大小。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第4题

实际的PN结,P区和N区杂质浓度相等。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第5题

N沟道增强型场效应管的电路如图1.5.11所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道

长度调制电压为一100V。试计算IDQ和VDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。

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第6题

N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如图1.5.10所示。试分别计算当VGS=一1 V、VGS=一2V和VGS=

一3V时电路的输出电压V.约为多大?

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第7题

晶体三极管可以作开关使用,断开时工作在(A.饱和区,B.截止区,C.放大区),接通时工作在(A.饱和区,B.

截止区,C.放大区)。场效应管也可以作开关使用,断开时工作在(A.变阻区,B.饱和区,C.截止区),接通时工作在(A.变阻区,B.饱和区,C.截止区)。

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第8题

PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变

容二极管中主要利用PN结的(A.势垒,B.扩散)电容。PN结存在的结电容对电子器件的高频运用(A.有利,B.不利)。

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第9题

BJT或场效应管可用线性模型等效的前提条件是要有_________和满足_________。

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第10题

晶体管的β值和场效应管的跨导gm与工作频率无关。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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