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[主观题]

PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变

PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变容二极管中主要利用PN结的(A.势垒,B.扩散)电容。PN结存在的结电容对电子器件的高频运用(A.有利,B.不利)。

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第1题

BJT或场效应管可用线性模型等效的前提条件是要有_________和满足_________。

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第2题

晶体管的β值和场效应管的跨导gm与工作频率无关。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第3题

二极管、晶体三极管发射结的正向导通电压大小与温度无关。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第4题

杂质浓度高的PN结易发生雪崩击穿。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第5题

发光二极管应用时要加正向电压。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第6题

光电二极管应用时要加反向电压。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第7题

桥式整流电路如图1.5.12所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D 4种型号的二极管,其参数分别如表

1.5.1所列。你认为应选用哪种型号的二极管更适用于该电路,并简述理由。

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第8题

BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在(A.变电阻区,B.截止区,C.放大

区),此时,漏极电流受信号电压(A.ds,B.vgsC.vgd)控制,集电极电流受信号电压(A.vce,B.vbe,C.vbc)控制。

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第9题

从场效应管的转移特性或输出特性曲线上可以间接或直接得到(A.开启电压VTH,B.沟道宽度W)、(A.夹断

电压VP,B.沟道长度L),(A.漏源间电容CDS,B.饱和电流IDSS)和(A.栅源间电容CGS,B.跨导gm)等参数。

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第10题

从晶体三极管的共发射极输出特性曲线上可以间接或直接得到(A.电流放大系数β,B.集电结结电容Cμ)、(

A.电流放大系数α,B.发射结结电容Cπ)、(A.特征频率fT,B.输出电阻rce)、(A.截止频率fβ,B.跨导gm)和(A.穿透电流ICEO,B.集电结结电阻rμ)等参数。

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