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[主观题]

桥式整流电路如图1.5.12所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D 4种型号的二极管,其参数分别如表

1.5.1所列。你认为应选用哪种型号的二极管更适用于该电路,并简述理由。

桥式整流电路如图1.5.12所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D 4种型号的二极管,其参数

桥式整流电路如图1.5.12所示,图中所标电压为有效值。现有A、B、C、D 4种型号的二极管,其参数

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第1题

BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在(A.变电阻区,B.截止区,C.放大

区),此时,漏极电流受信号电压(A.ds,B.vgsC.vgd)控制,集电极电流受信号电压(A.vce,B.vbe,C.vbc)控制。

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第2题

从场效应管的转移特性或输出特性曲线上可以间接或直接得到(A.开启电压VTH,B.沟道宽度W)、(A.夹断

电压VP,B.沟道长度L),(A.漏源间电容CDS,B.饱和电流IDSS)和(A.栅源间电容CGS,B.跨导gm)等参数。

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第3题

从晶体三极管的共发射极输出特性曲线上可以间接或直接得到(A.电流放大系数β,B.集电结结电容Cμ)、(

A.电流放大系数α,B.发射结结电容Cπ)、(A.特征频率fT,B.输出电阻rce)、(A.截止频率fβ,B.跨导gm)和(A.穿透电流ICEO,B.集电结结电阻rμ)等参数。

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第4题

有人测得晶体管的VBE=0.6V时,IB=10μA,VBE=0V时,IB=0,由此推算得到rπ=△VBE/△IB=(0.6一0)V/(10—0)μ

A=60kΩ。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第5题

有人测得晶体管的VBE=0.6V时,IB=10μA,由此推算出rπ=26mV/IB=2.6kΩ。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第6题

有人测得晶体管的VBE=0.7V时,IB=20μA,由此推算出rπ=VBE/IB=35kΩ。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第7题

晶体管或场效应管的小信号等效电路仅对工作点上的微变量成立。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第8题

MOS管中的导电沟道一旦被夹断,则漏极电流变为零。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第9题

混合π型等效电路中的7个电路参数均有明确的物理意义。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第10题

在晶体管的BVCBO、BVCEO、BVEBO这3个击穿电压中,BVCBO的值最大。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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