题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体,源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外
加的VGS产生的_________-形成的,增强型管子的含义是_________。
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第1题
言,比较其3个电极的电位φE、φB和φC的高低应分别满足__________和_________的关系。
第4题
长度调制电压为一100V。试计算IDQ和VDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。
第6题
截止区,C.放大区)。场效应管也可以作开关使用,断开时工作在(A.变阻区,B.饱和区,C.截止区),接通时工作在(A.变阻区,B.饱和区,C.截止区)。
第7题
容二极管中主要利用PN结的(A.势垒,B.扩散)电容。PN结存在的结电容对电子器件的高频运用(A.有利,B.不利)。
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