以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是（）

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

掺有杂质的半导体称为()。

A.本征半导体

B.天然半导体

C.杂质半导体

D.硅半导体

A．本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体

B．本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近

C．本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

D．本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降

A．本征半导体呈电中性,杂质半导体呈电性

B．本征半导体和杂质半导体均呈电中性

C．硅材料的温度特性比锗材料好,因为其禁带宽度较大

D．锗材料的温度特性比硅材料好,因为其禁带宽度较小