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[单选题]

关于杂质半导体,下列描述正确的是()

A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;

D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。

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第1题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

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第2题

关于某种杂质半导体的准费米能级,以下描述正确的是?

A、在一定的温度下,稳定状态下的半导体只有一个费米能级

B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。

C、在一定的温度的非平衡状态下,载流子浓度积仍然是一个常数

D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度

E、对于电子来说,导带费米能级和价带费米能级都是全局性的

F、在非平衡状态下,多子准费米能级的位置并没有发生偏离

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第3题

关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有()。

A、杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

B、低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C、高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降

D、当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

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第4题

杂质半导体的电阻率随温度的变化,以下描述正确的是?

A、电阻率变化只受散射机构影响

B、温度很低时,电阻率随温度上升而下降,电离杂质散射起主要作用

C、温度较高时,电阻率随温度上升而上升,晶格振动散射起主要作用

D、温度继续升高时,阻率随温度上升而下降,电离杂质散射和晶格振动散射共同起主要作用

E、温度继续升高时,本征激发成为主要矛盾,导致阻率随温度上升而下降

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第5题

以下关于杂质的描述正确的是

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射。

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率。

C、中性杂质不会对半导体产生影响。

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体。

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷。

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心。

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金。

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用。

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第6题

以下关于施主杂质的描述,正确的是

A、施主杂质在束缚态时带有负电荷

B、施主杂质在束缚态时带有正电荷

C、施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度

D、P作为Si的施主时,是一种替位杂质

E、施主能级可位于禁带中

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第7题

以下对半导体材料特征描述正确的是

A、温度升高使半导体导电能力增强

B、微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力

C、适当波长的光照可以改变半导体的导电能力

D、导电能力介于导体与绝缘体之间

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第8题

下列关于三极管的结构,描述正确的是()。
A、NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区,分别是N区,P区,N区,相对应地,分别称之为集电区,基区,发射区

B、按掺杂区域的类型,三极管可分为NPN型和PNP型两大类

C、三极管有三个电极,分别为基极B、集电极C、反射极E

D、三极管有二个PN结,分别为集电结、反射结

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第9题

将三价的硼作为杂质参杂到硅半导体中, 以下叙述正确的是( )。

A、硼为施主杂质。

B、硼为受主杂质。

C、形成P型半导体。

D、形成N型半导体。

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第10题

什么是本征半导体?什么是杂质半导体?以示意图表示它们的能带结构。说明半导体是如何导电的。

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