之所以同工艺中相同类型MOS管版图图形还有很大差异主要是因为

A、沟道宽度

B、沟道长度

C、沟道类型

D、以上都不是

图１中所示的是MOS管类型是

A、P沟耗尽型

B、N沟耗尽型

C、N沟增强型

D、P沟增强型

图１中所示的是MOS管类型是

A、N沟增强型

B、N沟耗尽型

C、P沟增强型

D、P沟耗尽型

B.耗尽层电容

C.交叠电容

D.结电容

A、截止区

B、可变电阻区

C、放大区

D、饱和区

A、栅极的接触孔应该开在沟道区外

B、版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

C、源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

D、版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里