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版图中MOS管沟道长度等于多晶的宽度。

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第1题

版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定
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第2题

该MOS管的沟道性质和类型是什么?

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第3题

沟道长度效应会导致MOS管的工作电流略微减小
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第4题

LVS错误类型中显示MOS管“property errors”与版图中MOS管的哪个参数无关。

A、沟道宽度

B、沟道长度

C、沟道类型

D、以上都不是

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第5题

在CMOS电路中,P沟道MOS管和N沟道MOS管总是成对出现。
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第6题

沟道 长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象
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第7题

MOS管中的导电沟道一旦被夹断,则漏极电流变为零。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第8题

按照导电沟道的不同,MOS管可分为()。
A、NMOS

B、PMOS

C、CMOS

D、DMOS

E、SMOS

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第9题

根据MOS管的导电因子公式,沟道长度越小,其电流容量越大
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第10题

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5 V,增强型MOS管的μpCoxW/(2l)=80μA/V2,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

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