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沟道 长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象

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第1题

某N沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)=4V,为了使该场效应管工作于恒流区(即放大区),应对其施加的直流偏置电压为(  )。

  A.UGS>4V,UGD<4V  B.UGS>4V,UGD>4V

  C.UGS<4V,UGD<4V  D.UGS<4V,UGD>4V

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第2题

增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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第3题

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

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第4题

能较大范围提高阈值电压的方法是()。
A.增大MOS管尺寸

B.提高过驱动电压

C.制造时向沟道区域注入杂质

D.增大衬底偏置效应

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第5题

已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区.试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系.

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第6题

在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5 V,增强型MOS管的μpCoxW/(2l)=80μA/V2,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

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第7题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第8题

为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
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第9题

该MOS管的沟道性质和类型是什么?

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