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[主观题]
该MOS管的沟道性质和类型是什么？
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已知晶体管为硅管，β=60，厄尔利电压为一100V。
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第2题
用MOSFET组成如图1．4．15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0．05mA／V2，VTH=3V。若输入信号V1=10
0mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多大的栅极电压VG?
第3题
在图1．4．14(a)所示的电路中，已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA，夹断电压VP为一2V，沟道长度调制电
压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.
第4题
在图1．4．13所示的电路中，试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态
)?
(a)IDSS=3mA，VP=一5V； (b)VTH=3V； (c)IDSS=6mA，VP=-4 V； (d)IDSS=一2mA，VP=一2 V。
第10题
用理想运算放大器组成如图1．4．16所示的电路。已知电路中电阻取值满足(1＋R6／R3)=(R2R5)／(R3R4)的条
用理想运算放大器组成如图1．4．16所示的电路。已知电路中电阻取值满足(1+R6／R3)=(R2R5)／(R3R4)的条件，试写出输出电流IL的表达式。
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