题目内容
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[主观题]
设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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第4题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、预夹断临界点
B、饱和区（恒流区、放大工作区）
C、可变电阻区
D、截止区
第5题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、饱和区（恒流区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第6题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第8题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
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