如果一个MOS管的VDS为9V，VGS为5V，阈值电压 为1V，说明该MOS管工作在饱和状态

在图LT3-4所示电路中，已知VGS(th)=-1．5 V，增强型MOS管的μpCoxW／(2l)=80μA／V2，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

A、1V

B、3V

C、5V

D、7V

一个MOS结构中由N_a=5×10¹⁵cm^-3的N型衬底、100nm厚的氧化层以及铝接触构成，测得阈值电压为2.5V，计算Si-SiO₂界面电荷密度．

判断图P3.2所示电路的工作状态。其中R_D=10kΩ；R_G=10kΩ．750kΩ；A=1(V_DD=5V)。设MOS管的开启电压V_TN=V_TP=2V。

   

一个理想的MOS电容器，衬底是掺杂浓度N_A=1.5×10¹⁵/cm³的P型硅。若氧化层厚度是0.1μm时，阈值电压V_T为1.1V，问氧化层厚度为0.2μm时，V_T是多少?

写出实际MOS的阈值电压的表达式并说明各项的物理意义．

已知放大电路中，3个MOS管的3个电极的电位如下表所示，其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。

MOS管	UGS(th)或UGS(off)	UG/V	US/V	UD/V	管 型	工作状态
V1	-4	0	5	-5
V2	4	3	-2	-1.5
V3	-3	0	0	10

截止)。

在图3.9所示电路中，G₁和G₂是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为I_OH(max)=5μA；导通时允许的最大负载电流为I_OL(max)=5.2mA，这时对应的输出电压V_OL(max)=0.33V。负载门G₃～G₅是3输入端或非门74HC27，每个输入端的高电平输入电流最大值为I_IH(max)=1μA，低电平输入电流最大值为I_IL(max)=-1μA。试求在V_DD=5V，并且满足V_OH≥4.4V、V_OL≤0.33V的情况下，R_L取值的允许范围。