题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
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A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
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第2题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、饱和区（恒流区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第3题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
第4题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、预夹断临界点
B、饱和区（恒流区、放大工作区）
C、可变电阻区
D、截止区
第9题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
A、N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B、N沟道耗尽型管，工作在放大区
C、P沟道增强型管，工作在截止区
D、P沟道耗尽型管，工作在放大区
第10题
某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？
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