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[主观题]

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

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更多“硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的…”相关的问题

第1题

硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为()

A、0.5V

B、0.7V

C、0.4V

D、0.2V

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第2题

锗二极管的导通电压( )，死区电压( )。硅二极管的导通电压( )，死区电压( )。

(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V

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第3题

硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V，锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V（）

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第4题

二极管导通时的正向压降，硅管为0.6－0.8V，锗管为()。

A.0.2—0.5V

B.0.1—0.3V

C.0.2—0.4V

D.0.2—0.3V

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第5题

二极管正向导通时，压降很小，硅管 0.2－ 0.3V,锗管0.5－ 0.7V。( )

二极管正向导通时，压降很小，硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。( )

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第6题

硅三极管发射结的死区电压约 V,锗三极管死区电压约 V。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为 V,锗管约为 V

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第7题

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

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第8题

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

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第9题

电工学第七版下册课后练习与思考题答案

14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

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第10题

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

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